Pokrok v oblasti magnetických pamětí

číslo 12/2006

Pokrok v oblasti magnetických pamětí

Tým vědců z laboratoře Hitachi Cambridge, Fyzikálního ústavu AV ČR a univerzit v Cambridgi a Nottinghamu oznámil, že se podařilo poprvé demonstrovat nový jev nazvaný anizotropní magnetorezistence v režimu Coulombovské blokády (CBAMR).

Aktivní část mikročipu, ve kterém byl jev pozorován, je zhotovena z feromagnetického polovodiče a má rozměry jen několik desítek nanometrů. Díky CBAMR funguje tato součástka zároveň jako magnetická paměť a tranzistor.

Jednoduchost a nepatrné rozměry tohoto přístroje, jeho funkce spojující doposud oddělené oblasti mikroelektroniky a velikost efektu mohou mít velký potenciál pro techniku magnetických senzorů, pamětí a logických obvodů. První zařízení CBAMR funguje pouze při nízkých teplotách, výzkumný tým ovšem ukázal, že CBAMR je generický jev, který u zařízení zhotovených z kovových feromagnetů se silnou spin-orbitální interakcí přetrvává až do vysokých teplot.

Laboratoř Hitachi Cambridge se zabývá fyzikálním výzkumem zaměřeným na nové principy konstrukce čtecích hlav pevných disků, pamětí a logických prvků. Fyzikální ústav AV ČR a Hitachi Cambridge v této oblasti dlouhodobě spolupracují. Společná práce o CBAMR byla publikována ve Physical Review Letters v srpnu 2006.

(ed)